◆重點摘要/投資建議

在目前價格下無任何廠商生產標準型DRAM可獲利，近期報價近期出現落底跡象。

1H11的DRAM報價可望相對穩定，但台廠仍難以獲利。

力成可望成為MOBILE DRAM成長浪潮下的主要受惠台灣廠商，維持買進的投資建議。

◆產業分析

◇DRAM報價近期出現落底跡象：

雖然4Q10的NB出貨表現淡季不淡，但由於NB廠尚未將搭載量調回到4GB，加上各DRAM廠50nm以下製程良率快速提升，供給量持續增加，DRAM報價出現加速下跌的現象，1Gb DDR3現貨價在12/17/2010已跌至1.16美元，合約價也跌到1.09美元，4Q10累計至目前的跌幅分別達43.4%和44.7%。

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3Q10由於三星大量轉進46nm製程，且良率快速提升，市佔率由2Q10的33.9%大幅上升到40.4%，其它廠商在製程轉換進度落後之下，市占率皆出現下滑情形。4Q10在三星46nm製程持續開出、海力士大量轉進44nm製程、南科50nm製程良率提升下，導致市場持續呈現供過於求的情況。

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IBTSIC估計三星和海力士40nm的成本約在1.1~1.2美元，在目前的報價下，已無任何廠商生產標準型DRAM可處在獲利狀態，且各廠商50nm製程的現金成本也在1.1美元附近，若跌破此價位大部份廠商將出現減產動作，因此價格再往下跌的空間不大，可望於2010年底在1.1美元附近止穩。

爾必達於11/2010宣布將把整個爾必達陣營的標準型DRAM投片量，由每月21萬片降為17萬片，部份減少的投片量將轉做MOBILE DRAM等利基型產品。IBTSIC預估爾必達陣營實際產少的位元產出約為15%，以爾必達陣營近期的市佔率合計約20%來看，將減少整個市場約3%的供給量。由於從投片到產出需要約2個月時間，因此減產的影響將在1Q11發酵。

◇1H11的標準型DRAM報價可望相對穩定，但台廠仍難以獲利：

1Q11在需求面因PC需求可望淡季不淡，加上在DRAM價格大幅下降後，主流的單機搭載量回升到4GB，供給面則受到廠商減產發酵影響，標準型DRAM報價可望止穩，然而在下游通路庫存並不缺乏下，不易再重演4Q09~1Q10大幅反彈的走勢。IBTSIC預估1H11的1Gb標準型DRAM報價將於1~1.3美元之間波動，在這個價格下，台灣DRAM廠商仍將處於虧損。

IBTSIC預估2011年NB整體出貨量2.1億台(含小筆電但不含帄板電腦，YoY+13%，其中小筆電呈現持帄，維持在3,500萬台的水準。IBTSIC預估2011年的PC帄均位元搭載量YoY+30%，標準型DRAM的位元需求YoY+47%；然而在供給面上，2H11後三星和海力士轉入30nm製程，加上爾必達陣營和美光陣營40nm製程大量開出，2011全年的位元供給YoY+50%，標準型DRAM仍將呈現供過於求。

◇力成可望成為MOBILE DRAM成長浪潮下的主要受惠台灣廠商：

與標準型DRAM相較之下，MOBILE DRAM將持續受惠於智慧型手機與帄板電腦風潮。IBTSIC預估全球smartphone 2010年全球出貨2.70億支，YoY+53.01%，預估2011年smartphone出貨4.05億支，YoY+49.89%；而在帄板電腦方面，IBTSIC預估2010年出貨量為1,400萬台， 2011年將大幅成長YoY+185.71%，達到4,000萬台。

IBTSIC預估2011年MOBILE DRAM的位元需求成長幅度將達到YoY+100%以上，不過在價格上，因MOBILE DRAM在2H10價格相對穩定，與標準型DRAM的價差快速擴大，1H11將面臨補跌壓力。

MOBILE DRAM的主要供應者包括三星、海力士以及爾必達，而對台灣DRAM製造商而言，除華邦電 2344(TW) 以外，MOBILE DRAM對營收貢獻仍非常低，然而華邦電 2344(TW) 的MOBILE DRAM應用以功能型手機為主，而2011年MOBILE DRAM的成長動能主要為smartphone和帄板電腦，因此受惠的程度較小。力成因主要客戶爾必達將把廣島廠大部份產能移做生產MOBILE DRAM，且MOBILE DRAM的封裝技術要求較高，在競爭對手較少下，封裝毛利率較標準型DRAM高，因此力成將成為MOBILE DRAM成長浪潮下的主要受惠台灣廠商。

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◇投資建議：

雖然爾必達減產及Toshiba的NAND停電事件將影響力成1Q11的營運表現，不過IBTSIC仍看好力成在3D封裝的長期發展前景，且考量其為台灣DRAM產業上市櫃公司中，在MOBILE DRAM成長浪潮下的主要受惠者，維持買進的投資建議。

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